2.03.2. Лабораторная работа №2.3.2.md
MOSFET-транзисторы
Тема работы
В этой лабораторной работе мы на практике сравним два главных типа транзисторов - биполярный NPN
и полевой MOSFET
. Вы соберёте две очень похожие схемы для плавной регулировки яркости светодиода - одну на NPN-транзисторе
, другую на MOSFET
. Этот эксперимент наглядно покажет, в чём их ключевые различия и какой из них является более современным и эффективным.
Цель
- Научиться использовать и
N-канальный MOSFET
для управления нагрузкой. - На практике понять разницу между токовым (NPN) и полевым (MOSFET) управлением.
- Собрать схемы с потенциометром для плавной регулировки яркости светодиода.
Оборудование и материалы
- Макетная плата.
- Модуль питания.
- Аккумуляторная батарея 9В.
- 1 биполярный
NPN-транзистор
. - 1 N-канальный
MOSFET
. - 1 светодиод (любого цвета).
- 1 потенциометр (10 кОм).
- Резисторы: 1 кОм (для базы NPN) и 220 Ом (для светодиода).
- Соединительные провода.
- Мультиметр.
Ход работы
-
Знакомство с MOSFET-транзистором
Рассмотрите
N-канальный MOSFET
. У него тоже три вывода, но называются они иначе: Затвор (Gate, G), Сток (Drain, D) и Исток (Source, S). В отличие от биполярного транзистора, он управляется не током, а напряжением (электрическим полем), приложенным к затвору. Это делает его гораздо более эффективным. -
Эксперимент 1. Управление светодиодом через NPN-транзистор
Биполярный
NPN-транзистор
управляется током, который подаётся на его базу. Мы будем регулировать этот ток с помощью потенциометра.- Соберите схему:
- Крайний левый вывод потенциометра подключите к
+5V
, крайний правый — кGND
. - Центральный вывод (ползунок) потенциометра через резистор 1 кОм соедините с Базой (B)
NPN-транзистора
. - Эмиттер (E)
транзистора
подключите кGND
. - Коллектор (C)
транзистора
соедините с катодом (−
) светодиода. - Анод (
+
) светодиода через резистор 220 Ом подключите к+5V
.
- Крайний левый вывод потенциометра подключите к
- Наблюдение. Плавно вращайте ручку потенциометра. Вы увидите, как яркость светодиода меняется. Оцените её по 5-балльной шкале в разных положениях ручки.
- Измерение. С помощью
мультиметра
измерьте ток базы (Iб) в трёх положениях ручки: мин., сред. и макс. яркость. - Фиксация. Занесите все наблюдения и измерения в таблицу в разделе «Результаты».
- Соберите схему:
-
Эксперимент 2. Управление светодиодом через MOSFET
Полевой
MOSFET
управляется напряжением, поданным на его затвор. Он практически не потребляет ток для управления, что делает его очень эффективным.- Разберите предыдущую схему.
- Соберите новую схему:
- Крайний левый вывод потенциометра подключите к
+5V
, крайний правый — кGND
. - Центральный вывод (ползунок) потенциометра напрямую соедините с Затвором (Gate, G)
MOSFET
. - Исток (Source, S)
транзистора
подключите кGND
. - Сток (Drain, D)
транзистора
соедините с катодом (−
) светодиода. - Анод (
+
) светодиода через резистор 220 Ом подключите к+5V
.
- Крайний левый вывод потенциометра подключите к
- Наблюдение. Плавно вращайте ручку потенциометра и сравните диапазон и плавность регулировки яркости с предыдущим экспериментом.
- Измерение. С помощью
мультиметра
измерьте напряжение между затвором и истоком (Vgs
) в трёх положениях ручки: выключен, средняя и максимальная яркость. - Фиксация. Занесите все наблюдения и измерения в таблицу.
Результаты
Заполните таблицу на основе ваших измерений и наблюдений.
Тип транзистора | Положение потенциометра | Яркость (1-5) | Управляющий параметр (Iб, мА / Vgs, В) |
---|---|---|---|
NPN | Минимум | ||
NPN | Середина | ||
NPN | Максимум | ||
MOSFET | Минимум | ||
MOSFET | Середина | ||
MOSFET | Максимум |
Анализ результатов
- Вы увидели, что для управления
NPN-транзистором
нужен управляющий ток (Iб), а дляMOSFET
— управляющее напряжение (Vgs). - Сравнивая яркость при максимальном положении потенциометра, вы, скорее всего, заметили, что со схемой на
MOSFET
светодиод горит ярче. Это связано с тем, чтоMOSFET
имеет меньшие потери энергии.
Выводы
В этой лабораторной работе вы:
- Научились использовать
NPN
иMOSFET
транзисторы для плавной регулировки яркости светодиода. - На практике увидели фундаментальную разницу между токовым и полевым управлением.
- Собрали две рабочие схемы аналогового диммера и смогли сравнить их эффективность.
Вопросы для самопроверки
- Какая электрическая величина управляет
биполярным транзистором
? Аполевым
? - Почему в схеме с
NPN-транзистором
мы использовали резистор на 1 кОм в цепи базы? - Почему
MOSFET
считается более эффективным ключом, чемNPN-транзистор
? - Что произойдёт, если в схеме с
MOSFET
поменять местами выводы Исток и Сток? - Предложите, как можно использовать
фоторезистор
вместо потенциометра для создания автоматического ночника.
Поздравляем! Вы освоили работу с транзисторами
и готовы к созданию по-настоящему мощных систем. Теперь, когда вы изучили основы электроники, переходите к следующей главе, где мы начнём изучать язык C++
, чтобы «оживить» наши схемы.
- Страницы
- 1. Введение
- 1.01. Лабораторная работа №1.1
- 1.02. Лабораторная работа №1.2
- 1.03. Лабораторная работа №1.3
- 1.04. Лабораторная работа №1.4
- 1.05. Лабораторная работа №1.5
- 2. Основы электроники
- 2.01. Электрический ток и параметры цепи
- 2.01.1. Лабораторная работа №2.1.1
- 2.01.2. Лабораторная работа №2.1.2
- 2.02. Сопротивление в цепи
- 2.02.1. Лабораторная работа №2.2.1
- 2.02.2. Лабораторная работа №2.2.2
- 2.03. Полупроводники
- 2.03.1. Лабораторная работа №2.3.1
- 2.03.2. Лабораторная работа №2.3.2
- 3. Основы программирование на C++
- 3.01. Типы данных и переменные
- 3.01.1. Практикум
- 3.02. Операторы в C++
- 3.02.1. Практикум
- 3.03. Структуры ветвления
- 3.03.1. Практикум
- 3.04. Структуры повторения
- 3.04.1. Практикум
- 3.05. Массивы
- 3.05.1. Практикум
- 3.06. Функции
- 3.06.1. Практикум
- 3.07. Решения задач
- 4. Программирование микроконтроллеров
- 4.01. Цифровые сигналы и GPIO
- 4.01.1. Лабораторная работа №4.1.1
- 4.01.2. Лабораторная работа №4.1.2
- 4.01.3. Лабораторная работа №4.1.3
- 4.01.4. Лабораторная работа №4.1.4
- 4.01.5. Лабораторная работа №4.1.5
- 4.01.6. Лабораторная работа №4.1.6
- 4.01.7. Лабораторная работа №4.1.7
- 4.01.8. Лабораторная работа №4.1.8
- 4.02. Аналоговые сигналы и ШИМ
- 4.02.1. Лабораторная работа №4.2.1
- 4.02.2. Лабораторная работа №4.2.2
- 4.02.3. Лабораторная работа №4.2.3
- 4.02.4. Лабораторная работа №4.2.4
- 4.02.5. Лабораторная работа №4.2.5
- 4.03. Аналоговый сигнал и АЦП
- 4.03.1. Лабораторная работа №4.3.1
- 4.03.2. Лабораторная работа №4.3.2
- 4.03.3. Лабораторная работа №4.3.3
- 4.03.4. Лабораторная работа №4.3.4
- 4.03.5. Лабораторная работа №4.3.5
- 4.04. Аналоговый сигнал и ЦАП
- 4.04.1. Лабораторная работа №4.4.1
- 4.04.2. Лабораторная работа №4.4.2
- 4.05. Генерация и измерение импульсов
- 4.05.1. Лабораторная работа №4.5.1
- 4.05.2. Лабораторная работа №4.5.2
- 4.06. Аппаратные прерывания
- 4.06.1. Лабораторная работа №4.6.1
- 4.06.2. Лабораторная работа №4.6.2
- 4.07. Псевдопараллелизм
- 4.07.1. Лабораторная работа №4.7.1
- 4.07.2. Лабораторная работа №4.7.2
- 4.08. Интерфейсы связи - UART
- 4.08.1. Лабораторная работа №4.8.1
- 4.09. Интерфейсы связи - I2C
- 4.09.1. Лабораторная работа №4.9.1
- 4.10. Интерфейсы связи - SPI
- 4.10.1. Лабораторная работа №4.10.1
- home
-
imgs
- 1. Введение
- 1.01. Лабораторная работа №1.1
- 1.02. Лабораторная работа №1.2
- 1.03. Лабораторная работа №1.3
- 1.04. Лабораторная работа №1.4
- 1.05. Лабораторная работа №1.5
- 2. Основы электроники
- 2.01. Электрический ток и параметры цепи
- 2.01.1. Лабораторная работа №2.1.1
- 2.01.2. Лабораторная работа №2.1.2
- 2.02. Сопротивление в цепи
- 2.02.1. Лабораторная работа №2.2.1
- 2.02.2. Лабораторная работа №2.2.2
- 2.03. Полупроводники
- 2.03.1. Лабораторная работа №2.3.1
- 2.03.2. Лабораторная работа №2.3.2
- 3. Основы программирование на C++
- 3.01. Типы данных и переменные
- 3.01.1. Практикум
- 3.02. Операторы в C++
- 3.02.1. Практикум
- 3.03. Структуры ветвления
- 3.03.1. Практикум
- 3.04. Структуры повторения
- 3.04.1. Практикум
- 3.05. Массивы
- 3.05.1. Практикум
- 3.06. Функции
- 3.06.1. Практикум
- 3.07. Решения задач
- 4. Программирование микроконтроллеров
- 4.01. Цифровые сигналы и GPIO
- 4.01.1. Лабораторная работа №4.1.1
- 4.01.2. Лабораторная работа №4.1.2
- 4.01.3. Лабораторная работа №4.1.3
- 4.01.4. Лабораторная работа №4.1.4
- 4.01.5. Лабораторная работа №4.1.5
- 4.01.6. Лабораторная работа №4.1.6
- 4.01.7. Лабораторная работа №4.1.7
- 4.01.8. Лабораторная работа №4.1.8
- 4.02. Аналоговые сигналы и ШИМ
- 4.02.1. Лабораторная работа №4.2.1
- 4.02.2. Лабораторная работа №4.2.2
- 4.02.3. Лабораторная работа №4.2.3
- 4.02.4. Лабораторная работа №4.2.4
- 4.02.5. Лабораторная работа №4.2.5
- 4.03. Аналоговый сигнал и АЦП
- 4.03.1. Лабораторная работа №4.3.1
- 4.03.2. Лабораторная работа №4.3.2
- 4.03.3. Лабораторная работа №4.3.3
- 4.03.4. Лабораторная работа №4.3.4
- 4.03.5. Лабораторная работа №4.3.5
- 4.04. Аналоговый сигнал и ЦАП
- 4.04.1. Лабораторная работа №4.4.1
- 4.04.2. Лабораторная работа №4.4.2
- 4.05. Генерация и измерение импульсов
- 4.05.1. Лабораторная работа №4.5.1
- 4.05.2. Лабораторная работа №4.5.2
- 4.06. Аппаратные прерывания
- 4.06.1. Лабораторная работа №4.6.1
- 4.06.2. Лабораторная работа №4.6.2
- 4.07. Псевдопараллелизм
- 4.07.1. Лабораторная работа №4.7.1
- 4.07.2. Лабораторная работа №4.7.2
- 4.08. Интерфейсы связи - UART
- 4.08.1. Лабораторная работа №4.8.1
- 4.09. Интерфейсы связи - I2C
- 4.09.1. Лабораторная работа №4.9.1
- 4.10. Интерфейсы связи - SPI
- 4.10.1. Лабораторная работа №4.10.1
- home